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混合微电路技术手册—材料、工艺、设计、试验和生产（第2版）Hybrid Microcircuit Technology Handbook Second Edition  |
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本书是一本介绍厚薄膜混合微电路的书籍。重点叙述了生产高可靠混合电路产品所用的材料、制造工艺、组装工艺、测试和设计技术、技术文件、失效分析及多芯片模块技术。
本书内容新颖详实，是美国混合微电路专家的经验之谈。很适合我国从事混合微电路专业的经理、工程技术人员阅读，也适合于从事整机电子线路的工程技术人员参考，以便将混合微电路恰到好处地融合进整机设计，本书也非常适合作为微电子和电子工程专业的高年级大学生和研究生的教学参考书。 |
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| 第1章 引言1.1 微电子材料分类1.1.1 导体1.1.2 绝缘体1.1.3 半导体1.2 工艺分类1.3 混合电路的定义和特性1.3.1 类型和特性1.3.2 与印刷电路板比较1.3.3 与单片集成电路比较1.3.4 与多芯片模块的比较1.4 应用1.4.1 商业上的应用1.4.2 军事上和空间上的应用1.4.3 功率电路的应用参考文献第2章 基片2.1 功能2.2 表面特性2.2.1 表面粗糙度（光洁度）2.2.2 翘度2.2.3 颗粒的粒度2.3 氧化铝基片2.3.1 氧化铝等级2.3.2 厚膜用的氧化铝基片2.3.3 薄膜用的氧化铝基片2.3.4 共烧陶瓷带基片2.4 氧化铍基片2.5 氮化铝基片2.6 金属矩阵复合物2.7 陶瓷基片的制造2.8 上釉的金属基片2.9 质量保证和测试方法参考文献第3章 薄膜工艺3.1 淀积工艺3.1.1 蒸发淀积3.1.2 直流（DC）溅射3.1.3 射频（RF）溅射3.1.4 反应溅射3.1.5 蒸发和溅射工艺的比较3.2 薄膜电阻器工艺3.2.1 薄膜电阻器3.2.2 镍铬工艺3.2.3 镍铬电阻器的特性3.2.4 氮化钽工艺3.2.5 镍铬电阻器的性能3.2.6 陶瓷金属薄膜电阻器3.3 光刻材料和工艺3.3.1 负性光刻胶的化学反应3.3.2 正性光刻胶的化学反应3.3.3 工艺3.4 腐蚀材料和工艺3.4.1 金膜的化学腐蚀3.4.2 镍和镍铬膜的化学刻蚀3.4.3 干法刻蚀3.5 薄膜微桥跨接电路参考文献第4章 厚膜工艺4.1 制造工艺4.1.1 丝网印刷4.1.2 干燥4.1.3 烧成4.1.4 多层厚膜工艺4.1.5 多层共烧陶瓷带工艺4.1.6 高温共烧陶瓷（HTCC）4.1.7 低温共烧陶瓷（LTCC）4.2 直接描入4.2.1 细线厚膜工艺4.3 各种浆料4.3.1 类型和比较4.3.2 导体浆料4.3.3 电阻浆料4.3.4 介质浆料4.3.5 厚膜电容器4.4 非贵金属厚膜4.4.1 铜厚膜工艺4.4.2 铜厚膜导体的性能4.4.3 氮气烧成介质的工艺4.4.4 氮气烧成电阻器的工艺4.5 聚合物厚膜4.5.1 PTF导体4.5.2 PTF电阻器4.5.3 PTF介质参考文献第5章 电阻器的调整5.1 激光调阻5.2 喷砂调阻5.3 电阻器的探针测量技术5.3.1 探针卡5.3.2 两探针5.3.3 四探针5.3.4 数字电压表（DVM）5.4 电阻微调的类型5.4.1 直线切割5.4.2 双线切割5.4.3 L形切割5.4.4 扫描切割5.4.5 蛇形切割5.4.6 数字切割5.5 特殊要求参考文献第6章 部件选择6.1 一般性考虑6.2 封装6.2.1 封装类型6.2.2 功率封装6.2.3 环氧密封封装6.2.4 塑料封装6.2.5 球栅阵列（BGA）封装6.2.6 封装试验6.3 有源器件6.3.1 钝化6.3.2 金属化6.3.3 晶体管6.3.4 二极管6.3.5 线性集成电路6.3.6 数字集成电路6.4 无源元件6.4.1 电容器6.4.2 电阻器6.4.3 电感器6.4.4 采购参考文献第7章 组装工艺7.1 引言7.2 芯片和基片的贴装7.2.1 类型和功能7.2.2 粘结剂贴装7.2.3 冶金贴装7.2.4 银-玻璃粘结剂7.3 互连7.3.1 线焊7.3.2 自动焊接7.3.3 倒装芯片互连7.4 清洗7.4.1 污物和它们的来源7.4.2 溶剂7.4.3 清洗工艺过程7.5 使颗粒不能移动的涂覆7.5.1 巴利宁涂覆7.5.2 可用溶剂溶解的涂覆7.5.3 颗粒吸收剂7.6 真空焙烤和密封7.6.1 真空焙烤7.6.2 密封7.6.3 冶金密封参考文献第8章 试验8.1 电测8.1.1 芯片电测8.1.2 混合电路电测8.2 目检8.3 非破坏性筛选试验8.3.1 热/机械试验8.3.2 老炼试验8.3.3 颗粒-碰撞-噪声检测（PIND）试验8.3.4 红外（IR）成像8.3.5 声显微镜技术8.4 破坏性筛选试验8.4.1 破坏性物理分析（DPA）8.4.2 封装环境的水汽和气体分析参考文献第9章 操作和净化间9.1 混合电路和元件的操作9.1.1 工具清洁度9.1.2 储存9.1.3 净化间9.2 静电放电9.2.1 电荷产生9.2.2 器件的静电敏感性9.2.3 静电损坏9.2.4 静电损坏（ESD）的防护参考文献第10章 设计指南10.1 混合微电路设计传递文件10.2 影响混合电路设计的系统要求10.2.1 划分10.2.2 输入/输出引脚10.2.3 元件密度10.2.4 功耗10.2.5 机械界面/封装要求10.3 材料和工艺的选择10.4 质量保证条款10.4.1 质量工程/质量保证要求10.4.2 筛选试验10.4.3 首选部件表10.5 混合电路设计过程10.5.1 设计和布图10.5.2 计算机辅助设计（CAD）10.5.3 原图10.5.4 设计评审10.5.5 工程模型设计的确认10.5.6 修改和重新设计10.6 基片寄生参数10.6.1 容性寄生参数10.6.2 关于极间电容的结论10.6.3 计算电容量的计算机程序10.6.4 感性寄生参数10.6.5 关于寄生电感的结论10.7 热方面的考虑10.7.1 传导10.7.2 对流10.7.3 辐射10.7.4 电路设计中热标准10.7.5 热分析计算机程序10.7.6 热试验10.8 厚膜和薄膜混合电路通用的布图指南10.8.1 初步的物理布图10.8.2 估计基片面积10.8.3 最后物理布图10.8.4 方便组装的辅助标记10.8.5 器件的放置10.8.6 线焊指南10.8.7 首选工艺和材料10.9 高性能的混合电路和MCM的封装设计指南10.9.1 总原则10.9.2 信号线10.9.3 电源和接地10.9.4 基片和导体材料10.10 方程式10.11 交叉干扰10.12 信号线电容10.13 信号线电感10.14 微带传输延迟10.15 典型的材料厚度10.16 厚膜材料和工艺说明10.16.1 厚膜基片10.16.2 厚膜导体材料10.16.3 厚膜电阻器10.16.4 包封釉设计指南10.16.5 加焊锡10.16.6 厚膜介质10.17 厚膜设计指南10.17.1 原图和图纸的要求10.17.2 多层电路基片的成品率10.17.3 导体图案的一般考虑10.17.4 通孔—穿过多层介质的导体连接10.17.5 线焊和芯片贴装的焊盘10.17.6 厚膜电阻器设计指南10.18 薄膜电路设计指南10.18.1 标准做法10.18.2 设计限值参考文献第11章 文件和技术规范11.1 文件11.2 军方和政府颁发的技术规范11.2.1 MIL-M-38510—微电路的总要求11.2.2 MIL-H-38534—混合微电路的总技术规范11.2.3 MIL-STD-883—微电路的试验方法和程序11.2.4 MIL-PRF-38534—性能技术规范，混合微电路总技术规范11.2.5 在MIL-PRF-38534下确定选择项11.2.6 MIL-STD-1772—关于混合微电路设备和生产线认证的要求11.2.7 MIL-STD-1772—的撤消参考文献第12章 失效分析12.1 混合电路失效的类型和原因12.1.1 器件失效12.1.2 互连失效12.1.3 基片失效12.1.4 封装失效12.1.5 沾污12.2 失效分析方法12.2.1 电学分析12.2.2 化学分析12.2.3 热学分析12.2.4 物理分析12.3 分析技术12.3.1 AES—奥格电子分光显微镜12.3.2 ESCA—化学分析用的电子波谱学12.3.3 SIMS—二次离子质谱测定法12.3.4 SEM—扫描电子显微镜12.3.5 EDX—能量分散X射线分析12.3.6 WDX—波长分散X射线分析12.3.7 RBS—卢瑟福背向散射光谱测定法12.3.8 LIMS—激光离子化质谱测定法12.3.9 EBIC—电子束感应电流12.3.10 红外12.3.11 SLAM和C-SAM12.4 混合电路失效的原因12.4.1 锡须12.4.2 金属划痕12.4.3 颗粒12.4.4 剩余焊剂12.4.5 芯片裂纹/断裂12.4.6 焊线倒塌12.4.7 封装壳电镀12.4.8 封装壳变色12.4.9 镍离子沾污12.5 混合电路失效的案例12.5.1 铝线接合的腐蚀12.5.2 镍铬电阻的腐蚀12.5.3 可伐的应力侵蚀12.5.4 线焊中的金属间化合物12.5.5 芯片上焊接表面的氧化12.5.6 松动颗粒短路12.5.7 线焊短路—案例112.5.8 线焊短路—案例212.5.9 不牢固的线焊—案例112.5.10 不牢固的线焊—案例212.5.11 线焊开路参考文献第13章 多芯片模块：混合微电路的新品种13.1 应用13.2 互连基片设计和制造方法13.2.1 MCM-D13.2.2 “芯片在后”在“芯片在先”的设计13.2.3 MCM-C13.2.4 MCM-L13.2.5 CMC技术的组合13.3 组装方法13.3.1 塑料包封/滴封13.4 测试和可测试性13.4.1 分级测试方法13.4.2 考虑到测试的设计13.4.3 边界扫描13.4.4 内建自测（BIST）13.4.5 已知好芯片（KGD）13.4.6 多芯片模块测试装置13.5 问题13.5.1 成本13.5.2 热管理13.5.3 氮化铝13.5.4 CVD金刚石13.5.5 金属矩阵复合物13.5.6 返工和返修参考文献 |
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